IRG7PH50K10DPBF

Productgegevens

Betaling en verzendvoorwaarden

Beschrijving: IGBT Transistors 1200V UltraFast Discrete IGBT

Krijg Beste Prijs

Contact nu

Specificaties

Beschrijving

Specificaties

Markeren:

Draad-emitter lekstroom::	Na 100	Productcategorie::	IGBT-transistors
Montage-stijl::	Door het gat	Continu collectie-stroom bij 25 ° C::	90 A
Pd - Machtsdissipatie::	400 W	Verzamelaar-emitter Spanning VCEO Max::	1200 V
Verpakking / doos::	Aan-247ac-3	Maximale werktemperatuur::	+ 150 °C
Maximale spanning van de poortemperator::	+/- 30 V	Verpakking::	Buis
Configuratie::	Alleenstaande	Voltage van de verzamelaar-emitter::	2.4 V
Vervaardiger::	IR / Infineon

Draad-emitter lekstroom::	Na 100
Productcategorie::	IGBT-transistors
Montage-stijl::	Door het gat
Continu collectie-stroom bij 25 ° C::	90 A
Pd - Machtsdissipatie::	400 W
Verzamelaar-emitter Spanning VCEO Max::	1200 V
Verpakking / doos::	Aan-247ac-3
Maximale werktemperatuur::	+ 150 °C
Maximale spanning van de poortemperator::	+/- 30 V
Verpakking::	Buis
Configuratie::	Alleenstaande
Voltage van de verzamelaar-emitter::	2.4 V
Vervaardiger::	IR / Infineon

Beschrijving

IRG7PH50K10DPBF

De IRG7PH50K10DPBF,van IR / Infineon,is IGBT Transistors. Wat we aanbieden hebben een concurrerende prijs in de wereldmarkt,die zijn in originele en nieuwe onderdelen.Als u meer wilt weten over de producten of een lagere prijs wenst, neem contact met ons op via de online chat of stuur ons een offerte!

Tags:

Gelijksoortige producten